Cree的新型650V碳化硅肖特基二极管改进了先进的高效数据中心电源设计

　　碳化硅电力设备市场的领头羊推出新的Z-Rec系列产品™650V结势垒肖特基（JBS）二极管。新的JBS二极管提供650V的阻断电压，以适应数据中心电源结构的最新变化，据行业顾问估计，这种变化将使能源效率提高5%。由于数据中心占全球年电力消耗量的近10%，因此任何效率的提高都是降低总体电力消耗的重要机会。

　　传统的开关电源的输入电压范围通常为90V–264V，支持全球范围内的各种交流输入电源。在现有的数据中心电源架构中，3相/480V电源由本地公用设施提供。此三相/480V电源通过电源变压器转换为三相/208V，然后进一步调节以向服务器电源提供输入电源。由于变压器损耗，这一转换步骤降低了整体效率。

　　数据中心电源架构的最新趋势要求取消480V到208V的转换，以提高数据中心的整体效率。服务器电源不再提供从3相/208V线路到中性点的120V交流电压，而是希望能够接受从3相/480V线路到中性点的90V–305V（277V加上10%的保护带）的更广泛的通用线路电压范围。这种结构消除了降压变压器的需要，以及相关的能量损失和费用。

　　服务器电源在90V–305V的高输入电压范围内的**运行需要功率元件，如碳化硅肖特基二极管，其扩展的**阻断电压为650V。Cree新的650V额定设备为数据中心服务器和通信的***电源的设计者提供了一个理想的解决方案设备。Cree的新型Z-Rec碳化硅二极管不仅具有这些先进电源所需的650V阻断电压，而且通过消除反向恢复损耗，与硅器件相比，它们还进一步降低了能量损耗。

　　“碳化硅技术对开发下一代先进、节能的数据中心电力系统设计至关重要，因为它实际上消除了二极管开关损耗，“众所周知，传统硅器件的开关损耗是导致能源效率低下的主要原因，因此用SiC器件取代它们可以将电源功率因数校正阶段的效率提高2%，从而比单纯的结构改变更能提高整体效率。”

　　650VZ-Rec肖特基二极管系列的初始产品C3DXX065A系列包括4、6、8和10安培版本的TO-220-2封装。所有设备的额定工作温度为-55°C至+175°C。