牛购芯城


0755-61306888


全部产品类目
  • SiC碳化硅专区
    碳化硅SiC MOSFET
    碳化硅肖特基SiC SBD
  • 光MOS继电器光耦
    1a 2a常开型继电器光耦
    1b 2b常闭型继电器光耦
    1a1b型继电器光耦
  • Ti 全系列产品
    Audio
    Amplifiers
    Clocks & timing
    Data converters
    Die & wafer services
    Power management
    Processors
    Logic
    Switches & multiplexers
    Interface
    Motor drivers
    Sensors
    Microcontrollers (MCU) 
    Wireless connectivity
    Isolation
    RF & microwave
    DLP products
  • minicircuits射频专区
  • 传感器芯片
  • 车规级单片机
    8 位单片机
    32位单片机
  • BOM 配套类目
    单片机
    分立器件
    储存芯片
    电源管理芯片
    逻辑芯片
    串口芯片
    电动机

Cree的新型650V碳化硅肖特基二极管改进了先进的高效数据中心电源设计

8
作者:碳化硅功率器件选型工程师来源:碳化硅肖特基二极管

  碳化硅电力设备市场的领头羊推出新的Z-Rec系列产品™650V结势垒肖特基(JBS)二极管。新的JBS二极管提供650V的阻断电压,以适应数据中心电源结构的最新变化,据行业顾问估计,这种变化将使能源效率提高5%。由于数据中心占全球年电力消耗量的近10%,因此任何效率的提高都是降低总体电力消耗的重要机会。


  传统的开关电源的输入电压范围通常为90V–264V,支持全球范围内的各种交流输入电源。在现有的数据中心电源架构中,3相/480V电源由本地公用设施提供。此三相/480V电源通过电源变压器转换为三相/208V,然后进一步调节以向服务器电源提供输入电源。由于变压器损耗,这一转换步骤降低了整体效率。


  数据中心电源架构的最新趋势要求取消480V到208V的转换,以提高数据中心的整体效率。服务器电源不再提供从3相/208V线路到中性点的120V交流电压,而是希望能够接受从3相/480V线路到中性点的90V–305V(277V加上10%的保护带)的更广泛的通用线路电压范围。这种结构消除了降压变压器的需要,以及相关的能量损失和费用。

CREE碳化硅肖特基功率器件

  服务器电源在90V–305V的高输入电压范围内的**运行需要功率元件,如碳化硅肖特基二极管,其扩展的**阻断电压为650V。Cree新的650V额定设备为数据中心服务器和通信的***电源的设计者提供了一个理想的解决方案设备。Cree的新型Z-Rec碳化硅二极管不仅具有这些先进电源所需的650V阻断电压,而且通过消除反向恢复损耗,与硅器件相比,它们还进一步降低了能量损耗。


  “碳化硅技术对开发下一代先进、节能的数据中心电力系统设计至关重要,因为它实际上消除了二极管开关损耗,“众所周知,传统硅器件的开关损耗是导致能源效率低下的主要原因,因此用SiC器件取代它们可以将电源功率因数校正阶段的效率提高2%,从而比单纯的结构改变更能提高整体效率。”


  650VZ-Rec肖特基二极管系列的初始产品C3DXX065A系列包括4、6、8和10安培版本的TO-220-2封装。所有设备的额定工作温度为-55°C至+175°C。

联系电话:0755-61306888
邮箱:NGO@ngomall.com
会员登录
登录
其他帐号登录:
我的资料
留言
回到顶部