牛购芯城


0755-61306888


全部产品类目
  • SiC碳化硅专区
    碳化硅SiC MOSFET
    碳化硅肖特基SiC SBD
  • 光MOS继电器光耦
    1a 2a常开型继电器光耦
    1b 2b常闭型继电器光耦
    1a1b型继电器光耦
  • Ti 全系列产品
    Audio
    Amplifiers
    Clocks & timing
    Data converters
    Die & wafer services
    Power management
    Processors
    Logic
    Switches & multiplexers
    Interface
    Motor drivers
    Sensors
    Microcontrollers (MCU) 
    Wireless connectivity
    Isolation
    RF & microwave
    DLP products
  • minicircuits射频专区
  • 传感器芯片
  • 车规级单片机
    8 位单片机
    32位单片机
  • BOM 配套类目
    单片机
    分立器件
    储存芯片
    电源管理芯片
    逻辑芯片
    串口芯片
    电动机
图文展示
ABUIABACGAAg8Z3ugAYol8rcjAQw7wE4sQM
ABUIABACGAAg8Z3ugAYol8rcjAQw7wE4sQM
产品详情
SiCMOSFET（碳化硅）C3M0065090D

SiCMOSFET（碳化硅）C3M0065090D

价格：
￥56.19
￥72.04
销量：8213
0755-61306888 在线询价
产品详情
编号： SICMOS0014 型号： C3M0065090D
品牌： Cree/Wolfspeed 规格： MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
类型： C3M™ 材质： 管件
FET类型： N 通道 产品类别： SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）： 900V 25°C时电流-连续漏极(Id)： 36A（Tc）
驱动电压（**RdsOn，最小RdsOn）： 15V 不同Id、Vgs时导通电阻（**值）： 78 毫欧 @ 20A，15V
不同Id时Vgs(th)（**值）： 2.1V @ 5mA 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（**值）： 30.4nC @ 15V
Vgs（**值）： +18V，-8V 不同Vds时输入电容(Ciss)（**值）： 660pF @ 600V
功率耗散（**值）： 125W（Tc） 工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔 封装/外壳： TO-247-3
联系电话：0755-61306888
邮箱：NGO@ngomall.com
会员登录
登录
其他帐号登录：
我的资料
◆
留言
◆
回到顶部
◆